فیلترها/جستجو در نتایج    

فیلترها

سال

بانک‌ها




گروه تخصصی











متن کامل


نویسندگان: 

Ebrahimi Amir | Adarang Habib

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2024
  • دوره: 

    1
  • شماره: 

    1
  • صفحات: 

    1-11
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    20
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

The threshold voltage of a MOSFET, represented by VTH, is a major parameter in the circuit design, and the lack of an accurate equation for the threshold voltage of transistors is one of the main challenges for integrated circuit designers. Based on the data obtained from the simulation, the present paper aims to investigate the effect of bias voltages (VGS, VDS, and VBS), transistor's dimensions (W and L), and temperature (T) on the value of threshold voltage, followed by the use of Levenberg-Marquardt method to propose a new equation for obtaining the threshold voltage value regarding different parameters. The obtained equation can be helpful for the design and manual calculations of the integrated circuits. Furthermore, various simulations were performed to evaluate the validity and accuracy of the obtained equation, indicating excellent consistency between the proposed equation and simulation results

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 20

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
نویسندگان: 

DAGHIGHI ARASH | KhalilZad Abdollah

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2021
  • دوره: 

    15
  • شماره: 

    4
  • صفحات: 

    109-113
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    85
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

In this paper, for the first time, Threshold-voltage-adjust-implant is engineered to optimize body current in 45 nm Silicon-on-Insulator (SOI) MOSFET. The peak value and peak position concentration of the Gaussian implant under the gate oxide in the silicon body are varied in order to optimize the body current in SOI technology. The variations affect the devices’ threshold voltages. In order to make a fair comparison, the gate work function is changed to obtain the same threshold voltage within the entire simulated devices and operating regime. The body current is monitored while the it is swept from 0 V to 1. 5 V. The maximum of the body current is observed at VDS=1. 5 V. The concentration of Threshold-voltage-adjust-implant peak value is changed from 1. 7E17 cm-3 to 7E18 cm-3. The peak position of the implant is varied from 0 nm right under the gate oxide to 20 nm below the gate oxide and silicon surface. It is observed that the body current is minimized at the peak value concentration of 7E17 cm-3 and peak position of 0 nm. This occurs by proper choice of the gate work function and gate material. The minimization of body current leads to the less requirement for the number of body contacts and smaller gate parasitic capacitance which, in turn, concludes higher operating frequency and larger fT.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 85

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
نویسندگان: 

توحیدی لیلا | پورمیرجعفری فیروزآبادی سیدمحمد | مزدارانی حسین | کوتنیک تادی | پوسیهار گرازد | میکلاوچیچ دامیان

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1388
  • دوره: 

    5
  • شماره: 

    2 (پیاپی 20-21)
  • صفحات: 

    1-14
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    1861
  • دانلود: 

    220
چکیده: 

مقدمه: الکتروپوریشن یا الکترو تراواسازی یک روش برای افزایش تراوایی غشا سلول توسط میدان الکتریکی خارجی است. این افزایش تراوایی در صورتی آشکار می شود که ولتاژ غشایی القایی با شدت میدان الکتریکی آستانه متناسب است، از یک مقدار بحرانی که بزرگتر شود. در این تحقیق، تغییرات شدت میدان الکتریکی آستانه و نیز ولتاژ غشایی بحرانی منجر به الکتروپوریشن مشاهده پذیر در سلولهای کروی و سلولهای چسبیده با شکل نامنظم، مورد بررسی قرار گرفته است.مواد و روشها: سلولهای کروی با اندازه های مختلف و سلولهای چسبیده با شکلهای متنوع انتخاب شدند. سلولهای انتخاب شده تحت تاثیر چهار پالس الکتریکی با پهنای یکسان 100 میکروثانیه و دامنه افزایشی قرار گرفتند. رخداد الکتروپوریشن با افزایش فلورسانس ناشی از عبور یون کلسیم به داخل سلول، آشکار شده و شدت میدان الکتریکی آستانه برای هر سلول ثبت شد. شکل سه بعدی سلولهای مورد استفاده، از تصاویر سطوح مقطع بدست آمدند. شبیه سازی با روش المان محدود برای بدست آوردن ولتاژ غشایی بحرانی الکتروپوریشن برای سلولهای مختلف انجام شد.نتایج: مقادیر شدت میدان الکتریکی آستانه و نیز ولتاژ غشایی بحرانی برای سلولهای کروی بر حسب شعاع آنها بدست آمد. برای بررسی اثر شکل و جهت گیری سلولها بر شدت آستانه و ولتاژ بحرانی، سلولهای مورد مطالعه بر حسب شکل به سه دسته مجزا تقسیم شدند. مقادیر مورد نظر برای تمام سلولهای هر گروه بدست آمد و نتایج بدست آمده برای هر گروه با یکدیگر مقایسه شدند.بحث و نتیجه گیری: اندازه، شکل و جهت گیری سلولها روی ولتاژ غشایی بحرانی تاثیر می گذارند و تمام این عوامل به نوبه خود شدت میدان الکتریکی آستانه برای ایجاد تراوایی و در نتیجه بازده الکتروپوریشن را تغییر می دهند.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 1861

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 220 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
نویسندگان: 

سپهری زهرا | دقیقی آرش

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1398
  • دوره: 

    16
  • شماره: 

    2
  • صفحات: 

    57-64
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    709
  • دانلود: 

    199
چکیده: 

در این مقاله برای اولین بار رابطه ی تحلیلی ولتاژ آستانه در یک ترانزیستور ماسفت سیلیکون روی الماس با یک لایه عایق اضافی و طول کانال کوتاه ارائه گردیده است؛ در این ساختار لایه ی عایق اول الماس است که بر روی زیرلایه ی سیلیکونی قرار دارد و لایه ی عایق دوم دی اکسیدسیلیکون می باشد که بر روی الماس قرار گرفته و از دو طرف به سورس و درین محدود شده است. رابطه ی تحلیلی برای محاسبه ی ولتاژ آستانه با محاسبه ی خازن های موجود در عایق مدفون استفاده شده است. نتایج بدست آمده از روابط تحلیلی و شبیه سازی افزاره برای ولتاژ آستانه در ترانزیستورهای سیلیکون روی الماس دولایه، سیلیکون روی عایق و سیلیکون روی الماس با ابعاد و طول کانال مشابه، مقایسه شده است. همچنین تاثیر ابعاد افزاره نظیر ضخامت اکسید گیت، ضخامت بدنه ی سیلیکونی، ضخامت عایق دوم و طول این عایق را بر روی ولتاژ آستانه ی افزاره ی سیلیکون روی الماس با عایق دولایه بررسی کرده ایم و نتایج حاصل از روابط تحلیلی را با نتایج بدست آمده از شبیه سازی افزاره مقایسه نمودیم و به تطبیق مناسبی بین نتایج حاصل دست یافته ایم.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 709

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 199 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1390
  • دوره: 

    7
  • شماره: 

    5 (ویژه نامه)
  • صفحات: 

    750-757
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    1394
  • دانلود: 

    437
چکیده: 

مقدمه: مناطق مرده قسمتی از حلزون در گوش داخلی است که تخریب شده اند. با دیدن ادیوگرام، پاسخ هایی دیده شده است که فرد در آن ها به تحریک آکوستیکی پاسخ داده است. این علایم یکپارچگی قسمتی از گوش که مورد آزمایش قرار گرفته است را نشان می دهد. آگاهی از عملکرد حلزون، در تشخیص پاسخ های کاذبی که از مناطق مرده حلزونی می آیند، کمک کننده است. در سال های اخیر به وسیله آزمونی به نام (Threshold equalizing noise) TEN با ارایه نویز پهن باند همان طرفی و تغییر آستانه یک منطقه، به شناسایی مناطق مرده حلزونی پرداخته اند. با توجه به حساسیت مناطق مرده در دریافت و درک گفتار، آگاهی از وضعیت سلامت حلزون و نحوه انجام آزمون مربوط ضروری به نظر می رسد.مواد و روش ها: این مقاله مروری بر مقالات منتشر شده از سال 1993 تا 2003 بود که بیش‍ترین مطالعات انجام شده در این دوره زمانی و در زمینه مناطق مرده حلزون بوده است که در پایگاه های اطلاعاتی Google Scholar، Science Direct، Ebsco، PubMed، Thieme، ProQuest و با استفاده از کلید واژه های مناطق مرده حلزونی، آزمون آستانه برابری شده با نویز، پوشش همان طرفی و موج مسافر در حلزون، تجویز سمعک بر اساس آستانه واقعی وجود داشت.نتیجه گیری: در تنظیم سمعک برای بیمارانی با افت شنوایی شدید و شیب دار باید به بخش های عملکردی و مناطق مرده محدوده فرکانسی شنوایی آن ها توجه داشت. هدف، ایجاد تقویت برای بخش های فعال و جلوگیری از تقویت برای بخش های مرده بود. اغلب این به معنی ایجاد تقویت برای فرکانس های مناطق گذار (مناطق بین مناطق مرده و سالم) به جای تقویت فرکانس هایی بود که بیش ترین کم شنوایی را داشتند. می توان به بخش های در حال مرگ کمک کرد ولی به مناطق مرده نمی توان تقویتی اعمال نمود. شناسایی مناطق مرده به تنظیم سمعک کمک می کند.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 1394

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 437 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
نویسندگان: 

,

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1403
  • دوره: 

    15
  • شماره: 

    60
  • صفحات: 

    1-18
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    5
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

در این مقاله یک تقویت‌کننده ترارسانایی عملیاتی (OTA) کاملاً تفاضلی دو طبقه مبتنی بر وارونگر موس گیت شناور/ موس با ولتاژ آستانه دینامیک (DT/FGMOS) با ولتاژ تغذیه 5/0 ولت ارائه می‌شود. وارونگر پیشنهادی در ساختار این تقویت‌کننده ترارسانایی عملیاتی به صورت ترکیبی از روش موس با ولتاژ آستانه دینامیکی (DTMOS) [برای تمامی ترانزیستورهای پی-موس (PMOS)] و ترانزیستور موس گیت شناور (FGMOS) [برای تمامی ترانزیستورهای ان-موس (NMOS)] در یک فرایند ان-ول (n-well) است. در این مدار جهت محدود‌سازی بهره حالت مشترک از مسیرهای پیش رو و پسخور استفاده شده است. طبقه اول دارای مسیرهای پیش رو جهت حذف حالت مشترک و طبقه دوم دارای فیدبک حالت مشترک جهت تثبیت ولتاژ حالت مشترک خروجی بر روی نصف ولتاژ (V dd) است. براساس نتایج شبیه‌سازی پسا-جانمایی، تقویت‌کننده ترارسانایی عملیاتی پیشنهادی بهره 61 دسی بل را با فرکانس بهره واحد 1/1 مگاهرتز تحت خازن‌های بار 13 پیکوفاراد از خود نشان داد. با بررسی‌های انجام شده با آنالیز مونت-کارلو مشخص گردید که تقویت‌کننده ترارسانایی عملیاتی مبتنی بر وارونگر پیشنهادی تحت تغییرات فرایند و عدم مطابقت افزاره می‌تواند به خوبی عملکرد مناسبی از خود نشان دهد. مدار پیشنهادی در فناوری 180 نانومتر سی‌موس مساحت 182/0 میلی متر مربع را از تراشه اشغال می‌کند. توان مصرفی آن 17 میکرووات بوده و می‌تواند در کاربردهای ولتاژ پایین و توان پایین از جمله در تجهیزات قابل حمل به خوبی استفاده شود. براساس بررسی‌های انجام شده، استفاده از روش موس با ولتاژ آستانه دینامیکی و موس گیت شناور می‌تواند به کاهش موثر ولتاژ آستانه ترانزیستورها و عملکرد خوب تقویت‌کننده ترارسانایی عملیاتی پیشنهادی در ولتاژ پایین منجر شود.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 5

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1382
  • دوره: 

    16
  • شماره: 

    2
  • صفحات: 

    23-39
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    1601
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

هدف: مقایسه حساسیت، ویژگی و اعتبار دو روش Standard Full Threshold (SFT) و SITA Fast (Sif) در Humphrey Field Analyzer. مواد و روش ها: در بیست بیمار (37 چشم) مبتلا به گلوکوم زاویه باز مراجعه کننده به درمانگاه های چشم بیمارستان امام رضا(ع) و قائم (عج) مشهد، میدان بینایی مرکزی آنها با برنامه C-30-2 و استراتژی (SFT) و (Sif) اندازه گیری شد. جهت هر فرد در هر روز دو روش در طی چهار جلسه به مدت دو هفته پیاپی انجام شد. حساسیت، ویژگی، اعتبار، متوسط زمان انجام تست ها و میزان کاهش میدان بینایی در استراتژی SITA Fast با استراتژی SFT مقایسه شد. یافته ها: حساسیت دو روش Sif و SFT مشابه و برابر 93.3% میباشد. ویژگی دو روش SFT و Sif به ترتیب 4/%71 و 4/57% و اعتبار آن دو به ترتیب89.2% و 86.5% است. متوسط زمان در SFT و Sif به ترتیب 14.6 دقیقه و 5.45 دقیقه میباشد. نقص میدان بینایی در Gray Scale در استراتژی Sif کم عمق تر از SFT میباشد. اما نقایص میدان بینایی با اهمیت P<%0.5) و (P<%1 در Pattern Deviation Plot در استراتژی Sif بیشتر از SFT است. اما این تفاوت از نظر آماری با اهمیت نمی باشد. نتیجه گیری: استراتژی Sif دارای حساسیت خوب و مشابه SFT می باشد و از نظر زمان انجام تست بسیار کوتاه تر است. لذا انجام آن به صورت روتین توصیه می شود. به خصوص در کودکان و افراد کهنسال و بیمارانی که مشکلات استخوانی مفصلی و اشکالات تمرکزی دارند، روش Sif ارجح می باشد.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 1601

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
نویسندگان: 

HAZERI A.R.

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2012
  • دوره: 

    11
  • شماره: 

    2
  • صفحات: 

    120-123
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    357
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

In this paper, a 1 V UWB LNA in TSMC 0.13 um CMOS process technology is designed. The power consumption is only 7.6 mW. By employing RLC peaking, high-frequency poles are moved outside of the 3.1-10.6 GHz band of interest, and a flat power gain and an excellent phase linearity are achieved. By applying DC voltage to the bulk of transistors, a low voltage LNA is accomplished. The proposed LNA is consisted of two stages and uses only 2 inductors. The proposed LNA has the power gain of 8.7  ~ 10.3, low NF of 3.5 ~ 4.2 dB, IIP3 of -6 dB, and good input return loss greater than -17 dB. The -3 dB bandwidth of S21 is from 0.6 to 13 GHz.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 357

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
نویسندگان: 

PLATO P.A. | MCNULTY M. | CRUNCK S.M.

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2008
  • دوره: 

    29
  • شماره: 

    9
  • صفحات: 

    732-737
تعامل: 
  • استنادات: 

    1
  • بازدید: 

    187
  • دانلود: 

    0
کلیدواژه: 
چکیده: 

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 187

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 1 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
نویسندگان: 

Zoghi Mahmood | Amiri Mohammad Javad

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1402
  • دوره: 

    11
  • شماره: 

    2
  • صفحات: 

    97-114
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    162
  • دانلود: 

    27
چکیده: 

ABSTRACT Today, climate change and its obvious negative effects on ecosystems have caused concern. This research seeks to test whether vegetation changes are sensitive to climate shocks and also how the ecosystem recovery process is through this index. In this regard, by using the GEE platform, Java coding, GIS and statistical analysis, vegetation and Palmer indices were calculated and based on time series climate data, vegetation and climate changes were presented. The results of Palmer's drought index show that during the statistical period (1985-2020) the study area is facing drought or is moving towards drought. Also, the results indicate the longest period of drought in the region from 2013 to 2020. Totaly from 420 evaluated months, the NDVI index is below the change threshold in 70 months. Among these, 31 months of the study period is below the acceptable threshold in green and non-reservoir seasons, which is ecologically worrying. The distribution of the vegetation index based on hexagons in 1985 and 2005 had a normal and almost normal distribution; But in 2020, the graph deviated from the normal state and skewed towards the vegetation cover index under stress or even thin covers. According to the analysis of the indicators, it is predicted that the Gorgan region is on the border of such ecological developments and the historical ecosystem of the region is moving towards new ecosystems or being in a new equilibrium state with climatic conditions and human disturbances Extended Abstract Introduction Today, climate change and its obvious negative effects on terrestrial ecosystems have caused great concern to humans. These changes are effective on vegetation performance, plant distribution patterns, and have economic and environmental consequences. Therefore, it is important to know the behavioral pattern of vegetation changes against climate changes. Reviewing the studies of scientists in the world shows many researchers have used the NDVI index to study temporal and spatial changes in vegetation and its relationship with the climatic index of precipitation in different parts of the world. Studies have shown that NDVI follows precipitation with different time scales. Surveys showed that there are very few studies on determining the threshold of changes in the vegetation cover index in the face of climate shocks. Determining these thresholds can provide a suitable solution for evaluating the state of the ecosystem, the consequences of climate shocks and the reversibility or disturbance in the ecosystem. This study was conducted with the aim of improving our understanding of the dynamics of vegetation in the forest city of Gorgan during 1985-2020 against climatic stresses.   Methodology The current research is a comparative and monitoring research and seeks to test whether changes in vegetation cover are sensitive to climate shocks and also how the ecosystem recovery process is through this index. To achieve the gole, first, NDVI index was selected among the optimal vegetation indices and its calculation process was done as a time series in the GEE system. In parallel with those climate shocks, the main elements including temperature, precipitation and storm were calculated during the historical process of 35 years and the average and standard deviation statistical indicators were calculated for them and the trend of changes in the thresholds was determined. The results of climate plots and climate changes show that in the years before 1985, 2005 and 2020, drastic changes have occurred in climatic elements and climatic factors. Therefore, these years can be considered as the periods when the climate shock happened.. Next, the region was divided into 436 hexagons and the NDVI index for each of the hexagons was calculated and modeled for the years 1985, 2005 and 2020 as selected years affected by climate shocks. In conclusion, to analyze the trend of changes in the time series of the vegetation index and compare the behavior of its changes with climatic indices, the Palmer index was calculated.   Results and discussion The results of climate change monitoring based on the Palmer index showed that during the statistical period the study area is facing drought in most years. The most severe climatic fluctuations and drought in the region were recorded in 2018 and in the months of October to December. The longest period of drought has also prevailed in the region from 2013 to 2020. During this period, rainfall, temperature and storm fluctuations have the most changes. The results of drought monitoring show that in 270 months, the region is facing climatic drought stress, 57 months of the study period, the region is facing severe and very severe drought stress. The results of the time series of the NDVI vegetation index showed that, out of the 420 evaluated months, 70 months of the year the NDVI index is below the change threshold, 31 of which are in the green and non-accumulating seasons, the seasons when the vegetation is expected to be at its maximum. Placing below the acceptable range means crossing the ecological thresholds and challenges the recovery and restoration of the ecosystem, also the ecological performance will be affected at this point. Based on the assessment of the Palmer index, from 2014 to 2019, the situation of the Palmer index is in the extreme drought range. Also, since 2015, i.e. with a one-year time delay, NDVI index has experienced the lower limit of the equilibrium threshold of vegetation cover. These conditions are also valid for the years 2008, 2009, 2002 and 1997. In general, it can be said that the vegetation cover index is dependent on climatic changes and fluctuations and shows high sensitivity to changes. The important point in this section is that in the years when the NDVI index changes are at the lower limit of the threshold, we witness the most climate shocks and temperature changes, the occurrence of severe storms and precipitation fluctuations. The distribution of the vegetation index based on hexagons in 1985 and 2005 have a normal distribution; but in 2020, the graph has deviated from the normal state and skewed towards the vegetation cover index under stress or even thin covers. The visual interpretation done on the vegetation cover index in 1985 confirms the condition of the vegetation cover in the southern and western limits of the region in a state with suitable dense and pasture vegetation and forest cover on the edges. However, in 2005 and 2020, this cover has been changed and mainly turned into agricultural land and poor rangeland. In such a way that in 2020, the situation of the region has revealed the critical state of vegetation. The vegetation cover index in the central areas of the city has also reached from a relatively favorable situation in 1985 to a critical situation with almost no dense and stress-free vegetation cover in 2020. The results of the present studies are consistent with the studies of Visentr Serrano et al. in 2013 and confirm the relationship between NDVI vegetation and climate change. In addition, the results of the studies are consistent with the studies of Alwesabi 2012, Xiai & Moody, 2005 and Yan et al. 2001. In such a way that the present study and the aforementioned studies all confirm the influence of the vegetation index on climate fluctuations and precipitation with a one-year time difference.       Conclusion In general, the threshold is defined as a border with different conditions. After crossing the thresholds, the stability and positioning of the NDVI in the equilibrium range is often difficult, and the ecosystem is constantly spending energy to restore itself or to position itself in a new stability state. The result of the mentioned disorders is the reduction of resilience and resistance in the region, which leads the ecosystem to alternative states or crossing the threshold or being in a new equilibrium state. The results showed that the areas where green vegetation is concentrated and denser are less affected by climatic stresses and show more resilience. However, the areas that have become spots and islands due to destruction in the urban areas are more affected by climatic stress and destruction and show less tolerance against the destruction factors. The results help managers to focus their management plans for the preservation and maintenance of urban green spaces as well as forest and pasture ecotones on the edge of the city by knowing the thresholds.   Funding There is no funding support.   Authors’ Contribution Authors contributed equally to the conceptualization and writing of the article. All of the authors approved thecontent of the manuscript and agreed on all aspects of the work declaration of competing interest none.   Conflict of Interest Authors declared no conflict of interest.   Acknowledgments  We are grateful to all the scientific consultants of this paper.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 162

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 27 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
litScript
telegram sharing button
whatsapp sharing button
linkedin sharing button
twitter sharing button
email sharing button
email sharing button
email sharing button
sharethis sharing button